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制造商:Vishay

產品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:50 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導通電阻:28 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:150 W

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-5

商標:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Single Dual Source

下降時間:86 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:120 ns

典型關閉延遲時間:55 ns

典型接通延遲時間:19 ns