封裝/外殼：SOIC 8N
驅(qū)動配置：半橋
通道類型：獨(dú)立式
驅(qū)動器數(shù)：2
柵極類型：IGBT，N 溝道 MOSFET
電壓 - 電源：10 V ~ 20 V
邏輯電壓?- VIL，VIH：0.8V，2.9V
電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：200mA，350mA
輸入類型：非反相
高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）：600V
上升/下降時間（典型值）：150ns，50ns
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
電壓-電源：10 V ~ 20 V
邏輯電壓?-VIL，VIH：0.8V，2.9V
電流-峰值輸出（灌入，拉出）：200mA，350mA
高壓側(cè)電壓-最大值（自舉）：600V
供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs