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IPT111N20NFD
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-HSOF-8

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：11.1m?

IDpuls max：384.0A

VDS max：200.0V

ID max：96.0A

Package：TO-Leadless (HSOF-8)

Rth：0.4K/W

QG：65.0nC

Budgetary Price ?€/1k：2.78

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：375.0W

Polarity：N

Qgd：8.0nC

Pin Count：8.0Pins

RthJA max：62.0K/W

Mounting：SMD

Coss：400.0pF

Ciss：5300.0pF

VGS(th) min max：2.0V 4.0V

Tj min max：-55.0°C 175.0°C

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖IPT111N20NFD
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IPT111N20NFDOptiMOS?a3 Power-Transistor, 200 V INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)1010.44 Kbytes共10頁IPT111N20NFD的PDF文件地址 IPT111N20NFD的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢價型號*數(shù)量*批號封裝品牌其它要求
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