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IPT059N15N3
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:PG-HSOF-8

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:150 V

Id-連續(xù)漏極電流:155 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:5.9 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:69 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:375 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:OptiMOS

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:2.4 mm

長度:10.58 mm

系列:OptiMOS 3

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:10.1 mm

商標(biāo):Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值:86 S

下降時間:14 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:35 ns

工廠包裝數(shù)量:2000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:46 ns

典型接通延遲時間:25 ns

零件號別名:IPT059N15N3ATMA1 SP001100162

介紹圖IPT059N15N3
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IPT059N15N3Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)1246.86 Kbytes共12頁IPT059N15N3的PDF文件地址 IPT059N15N3的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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IPT059N15N3ATMA1MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOFInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1012.23 Kbytes共10頁IPT059N15N3ATMA1的PDF文件地址 IPT059N15N3ATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPT059N15N3GMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)1246.86 Kbytes共12頁IPT059N15N3G的PDF文件地址 IPT059N15N3G的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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