制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
商標(biāo):Infineon Technologies
Id-連續(xù)漏極電流:50 A
Vds-漏源極擊穿電壓:25 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:8.7 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:83 W
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:IPAK-3
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時間:4.6 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時間:7.2 ns
工廠包裝數(shù)量:1500
典型關(guān)閉延遲時間:29 ns
典型接通延遲時間:10 ns
IPSH5N03LAG
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| IPSH5N03LAG | OptiMOS??2 Power-Transistor | INFINEON[Infineon Technologies AG] | 325.29 Kbytes | 共10頁 | IPB05N03LB,IPD09N03LAG,IPP10N03LB,IPUH6N03LB,BSC020N025SG,IPB06N03LAG,IPD09N03LBG,IPP11N03LA,BSC024N025S,IPB06N03LB | 產(chǎn)品購買 |
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