制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:40 V
Id-連續(xù)漏極電流:120 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:5.2 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:4.5 V
Qg-柵極電荷:180 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:136 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
資格:AEC-Q101
商標(biāo)名:OptiMOS
封裝:Tube
高度:15.65 mm
長度:10 mm
系列:OptiMOS-P2
晶體管類型:1 P-Channel
寬度:4.4 mm
商標(biāo):Infineon Technologies
下降時(shí)間:57 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:16 ns
工廠包裝數(shù)量:500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:85 ns
典型接通延遲時(shí)間:21 ns
零件號別名:IPP120P04P4L03AKSA1 IPP12P4P4L3XK SP000842300
單位重量:6 g