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IPP055N03LG
規(guī)格信息：

包裝：3TO-220

通道模式：Enhancement

最大漏源電壓：30 V

最大連續(xù)漏極電流：50 A

RDS -于：5.5@10V mOhm

最大門源電壓：±20 V

典型導(dǎo)通延遲時間：6.7 ns

典型上升時間：5.2 ns

典型關(guān)閉延遲時間：25 ns

典型下降時間：4 ns

工作溫度：-55 to 175 °C

安裝：Through Hole

標(biāo)準(zhǔn)包裝：Rail / Tube

IPP055N03LG

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPP055N03LG	OptiMOS??3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	309.68 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
IPP055N03LG	OptiMOS3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	735.5 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
IPP055N03LG_09	OptiMOS3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	735.5 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
IPP055N03LGHKSA1	MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3	Infineon Technologies	323.37 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
IPP055N03LGXKSA1	MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3	Infineon Technologies	323.56 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
IPP055N03LGXKSA1	MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3	Infineon Technologies	322.76 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買