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FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：200mA（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA

Vgs（最大值）：±40V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：60pF @ 25V

功率耗散（最大值）：300mW（Ta）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：5 歐姆 @ 500mA，10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝：3-SMD

封裝/外殼：3-SMD，無(wú)引線

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs