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GA100NA60UP
規(guī)格信息：

制造商:Vishay

產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管

商標:Vishay Semiconductors

配置:Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V

柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V

最大工作溫度:+ 150 C

封裝 / 箱體:SOT-227-4

封裝:Tube

集電極最大連續(xù)電流 Ic:100 A

最小工作溫度:- 55 C

安裝風格:SMD/SMT

工廠包裝數(shù)量:10

介紹圖GA100NA60UP
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
GA100NA60UPInsulated Gate Bipolar Transistor (Warp 2 Speed IGBT), 100 A VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO-天天IC網(wǎng)252.84 Kbytes共10頁GA100NA60UP的PDF文件地址 GA100NA60UP的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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