制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:IGBT 模塊
RoHS:否
商標(biāo):Infineon Technologies
產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
配置:Dual Common Emitter Common Gate
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:6300 V
集電極—射極飽和電壓:4.3 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:800 A
柵極—射極漏泄電流:400 nA
最大工作溫度:+ 125 C
封裝 / 箱體:IHM130
柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V
最小工作溫度:- 40 C
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
Pd-功率耗散:7.4 kW
工廠包裝數(shù)量:1