制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:IGBT 模塊
RoHS:否
配置:Triple Common Emitter Common Gate
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:3300 V
集電極—射極飽和電壓:3.4 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:2000 A
柵極—射極漏泄電流:400 nA
Pd-功率耗散:14.5 kW
封裝 / 箱體:IS5a ( 62 mm )-9
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 125 C
封裝:Tray
高度:38 mm
長度:190 mm
寬度:140 mm
商標:Infineon Technologies
安裝風格:Chassis Mount
柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
產(chǎn)品類型:IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量:1
子類別:IGBTs
零件號別名:FZ1200R33KF2CNOSA1 SP000100603