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FSYC260R1
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:46 A

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:50 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :+/- 20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:208000 mW

封裝 / 箱體:CSMD

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:25 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:160 ns

典型關(guān)閉延遲時間:100 ns

典型接通延遲時間:45 ns

介紹圖FSYC260R1
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FSYC260R1Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)48.83 Kbytes共8頁FSYC260R1的PDF文件地址FSYA150D,FSJ055D,FSYA254D,FSJ163D,FSYA450D,FSL214D,FSL23A0D,FSYC055D,FSYC160D,FSPL230R FSYC260R1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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