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FS800R07A2E3
規(guī)格信息：

產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules

配置：Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：650 V

集電極—射極飽和電壓：1.4 V

在25 C的連續(xù)集電極電流：800 A

柵極—射極漏泄電流：400 nA

功率耗散：1500 W

最大工作溫度：+ 150 C

封裝 / 箱體：HybridPack2

商標(biāo)：Infineon Technologies

柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V

最小工作溫度：- 40 C

安裝風(fēng)格：Through Hole

系列：FS800R07A2

工廠包裝數(shù)量：3

零件號別名：SP000913148

ROHS：含鉛

FS800R07A2E3

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
FS800R07A2E3	HybridPACK 2 module with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled diode	INFINEON[Infineon Technologies AG]	439.79 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
FS800R07A2E3	HybridPACKa?￠2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC	INFINEON[Infineon Technologies AG]	846.53 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
FS800R07A2E3_14	HybridPACKa?￠2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC	INFINEON[Infineon Technologies AG]	846.53 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
FS800R07A2E3_B31	IGBT 模塊 HYBRID PACK 2	Infineon Technologies	763.42 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
FS800R07A2E3B31BOSA1	IGBT MODULES	Infineon Technologies	368.79 Kbytes	共3頁	產(chǎn)品購買
FS800R07A2E3B31BOSA1	FS800R07 - IGBT MODULE	Infineon Technologies	368.79 Kbytes	共3頁	產(chǎn)品購買
FS800R07A2E3B32BOSA1	IGBT 模塊	Infineon Technologies	144.70 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
FS800R07A2E3B32BOSA1	IGBT MODULES	Infineon Technologies	368.79 Kbytes	共3頁	產(chǎn)品購買
FS800R07A2E3B32BOSA1	FS800R07 - IGBT MODULE	Infineon Technologies	368.79 Kbytes	共3頁	產(chǎn)品購買