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制造商:Infineon

產品種類:IGBT 模塊

RoHS:否

產品:IGBT Silicon Modules

配置:Hex

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V

集電極—射極飽和電壓:1.7 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:105 A

柵極—射極漏泄電流:400 nA

Pd-功率耗散:355 W

封裝 / 箱體:EconoPACK 3B

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 125 C

封裝:Tray

高度:17 mm

長度:122 mm

寬度:62 mm

商標:Infineon Technologies

安裝風格:Chassis Mount

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

產品類型:IGBT Modules

工廠包裝數(shù)量:10

子類別:IGBTs

零件號別名:FS75R12KE3GBOSA1 SP000100418

單位重量:300 g