產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
配置:3-Phase
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V
集電極—射極飽和電壓:1.4 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:530 A
柵極—射極漏泄電流:400 nA
功率耗散:1250 W
最大工作溫度:+ 150 C
封裝 / 箱體:HybridPack2
商標:Infineon Technologies
柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V
最小工作溫度:- 40 C
安裝風格:Through Hole
系列:FS600R07A2
工廠包裝數(shù)量:3
零件號別名:SP000555680
ROHS: 含鉛