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熱搜型號(hào)
產(chǎn)品種類IGBT 模塊
產(chǎn)品IGBT Silicon Modules
配置Hex
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO1200 V
集電極—射極飽和電壓2.7 V
在25 C的連續(xù)集電極電流300 A
柵極—射極漏泄電流400 nA
功率耗散2 KW
最大工作溫度+ 150 C
封裝 / 箱體IHM
柵極/發(fā)射極最大電壓20 V
最小工作溫度- 40 C
安裝風(fēng)格Screw
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