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FS200R12PT4
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類(lèi):IGBT 模塊

RoHS:是

產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V

集電極—射極飽和電壓:2.15 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:280 A

柵極—射極漏泄電流:400 nA

Pd-功率耗散:1000 W

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 150 C

封裝:Tray

商標(biāo):Infineon Technologies

安裝風(fēng)格:Chassis Mount

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

產(chǎn)品類(lèi)型:IGBT Modules

工廠(chǎng)包裝數(shù)量:6

子類(lèi)別:IGBTs

零件號(hào)別名:FS200R12PT4BOSA1 SP000485586

單位重量:390 g

FS200R12PT4

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠(chǎng)商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FS200R12PT4	EconoPACKa?￠4 Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1767.4 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FS200R12PT4BOSA1	IGBT MOD 1200V 280A 1000W	Infineon Technologies	811.92 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FS200R12PT4P	EconoPACKa?￠4 Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material	INFINEON[Infineon Technologies AG]	750.06 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FS200R12PT4PBOSA1	FS200R12 - IGBT MODULE	Infineon Technologies	743.10 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FS200R12PT4PBOSA1	IGBT MOD 1200V 200A 20MW	Infineon Technologies	743.10 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)