產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
配置:Hex
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V
集電極—射極飽和電壓:2 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:22 A
柵極—射極漏泄電流:400 nA
功率耗散:65 W
最大工作溫度:+ 150 C
封裝 / 箱體:EASY750
商標(biāo):Infineon Technologies
柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V
最小工作溫度:- 40 C
安裝風(fēng)格:Screw
工廠包裝數(shù)量:8
ROHS: 含鉛