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FS100R12KT4G
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:IGBT 模塊

產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules

配置:Hex

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V

集電極—射極飽和電壓:2.2 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:100 A

柵極—射極漏泄電流:100 nA

Pd-功率耗散:515 W

封裝 / 箱體:Econo 3

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 150 C

封裝:Tray

高度:17 mm

長度:122 mm

寬度:62 mm

商標:Infineon Technologies

安裝風格:Chassis Mount

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

產(chǎn)品類型:IGBT Modules

工廠包裝數(shù)量:10

子類別:IGBTs

商標名:TRENCHSTOP

零件號別名:FS100R12KT4GBOSA1 SP000379671

單位重量:300 g

FS100R12KT4G

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
FS100R12KT4G	EconoPACK3 module with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode	INFINEON[Infineon Technologies AG]	312.51 Kbytes	共8頁	產(chǎn)品購買
FS100R12KT4G_B11	EconoPACK3 module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode	INFINEON[Infineon Technologies AG]	320.93 Kbytes	共8頁	產(chǎn)品購買
FS100R12KT4GB11BOSA1	IGBT MOD 1200V 100A 515W	Infineon Technologies	507.82 Kbytes	共8頁	產(chǎn)品購買
FS100R12KT4GBOSA1	IGBT MOD 1200V 100A 515W	Infineon Technologies	505.67 Kbytes	共8頁	產(chǎn)品購買
FS100R12KT4GPB11BPSA1	IGBT MODULE	Infineon Technologies	505.67 Kbytes	共8頁	產(chǎn)品購買
FS100R12KT4GPBPSA1	IGBT 模塊 LOW POWER ECONO	Infineon Technologies	57.60 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買