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FQU2N80
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:1.8 A

Vds-漏源極擊穿電壓:800 V

Rds On-漏源導通電阻:6.3 Ohms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:IPAK-3

商標:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:28 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:30 ns

系列:FQU2N80

典型關閉延遲時間:25 ns

典型接通延遲時間:12 ns

介紹圖FQU2N80
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
FQU2N80800V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)639.0 Kbytes共9頁FQU2N80的PDF文件地址STW12NK80Z,FQAF10N80,FQP6N80,STW18NK80Z,FQA10N80C,STP4NC80Z,FQAF13N80,FQP7N80,STP3NK80Z,FQP3N80C FQU2N80的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
FQU2N80N-Channel QFET MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)731.24 Kbytes共9頁FQU2N80的PDF文件地址 FQU2N80的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
FQU2N80TUMOSFET N-CH 800V 1.8A IPAKFairchild SemiconductorFairchild Semiconductor的LOGO-天天IC網(wǎng)725.70 Kbytes共9頁FQU2N80TU的PDF文件地址 FQU2N80TU的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
FQU2N80TUMOSFET N-CH 800V 1.8A IPAKON SemiconductorON Semiconductor的LOGO-天天IC網(wǎng)725.70 Kbytes共9頁FQU2N80TU的PDF文件地址 FQU2N80TU的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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