制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
Id-連續(xù)漏極電流:19.4 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:150 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:140 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:QFET
封裝:Tube
高度:16.3 mm
長度:10.67 mm
系列:FQP19N20
晶體管類型:1 N-Channel
類型:MOSFET
寬度:4.7 mm
商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值:14.5 S
下降時間:80 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:190 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:55 ns
典型接通延遲時間:20 ns
零件號別名:FQP19N20_NL
單位重量:1.800 g
FQP19N20
| 型號 | 功能描述 | 生產(chǎn)廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁數(shù) | PDF文件 | 相關(guān)型號 | 第一頁預(yù)覽 | 產(chǎn)品購買 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FQP19N20 | 200V N-Channel MOSFET | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 705.94 Kbytes | 共8頁 | STD4N20,FDC2612,FQAF19N20L,FQB5N20L,FQP5N20,FQPF4N20L,IRF630B,IRFW630B,BUZ32,IRFF210 | 產(chǎn)品購買 | |||
| FQP19N20C | 200V N-Channel MOSFET | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 1144.4 Kbytes | 共10頁 | STD4N20,FDC2612,FQAF19N20L,FQB5N20L,FQP4N20L,FQPF4N20,IRF620B,IRFW620B,FDD2612,FQAF34N20 | 產(chǎn)品購買 | |||
| FQP19N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 734.59 Kbytes | 共8頁 | FQAF19N20L,FQB5N20L,FQPF4N20L,FQP5N20L,FQAF34N20L,FQPF5N20L,FQD7N20L,FQB10N20L,FQB7N20L,RFP2N20L | 產(chǎn)品購買 |
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