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FPF2G120BF07AS
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:IGBT 模塊

RoHS:是

產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules

配置:Triple

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V

集電極—射極飽和電壓:1.55 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:40 A

柵極—射極漏泄電流:2 uA

Pd-功率耗散:98 W, 140 W, 156 W

封裝 / 箱體:F2

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 150 C

封裝:Tray

系列:FPF2G120BF07AS

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

產(chǎn)品類型:IGBT Modules

工廠包裝數(shù)量:70

子類別:IGBTs

單位重量:45 g

介紹圖FPF2G120BF07AS
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
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