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FP75R07N2E4
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:IGBT 模塊

RoHS:

產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V

集電極—射極飽和電壓:1.95 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:75 A

柵極—射極漏泄電流:400 nA

Pd-功率耗散:250 W

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 150 C

封裝:Tray

商標:Infineon Technologies

安裝風格:Chassis Mount

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

產(chǎn)品類型:IGBT Modules

工廠包裝數(shù)量:10

子類別:IGBTs

零件號別名:FP75R07N2E4BOSA1 SP000843284

介紹圖FP75R07N2E4
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
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