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制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:IGBT 模塊

產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules

配置:3-Phase

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V

集電極—射極飽和電壓:2.1 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:100 A

柵極—射極漏泄電流:100 nA

Pd-功率耗散:5.15 W

封裝 / 箱體:Econo 3

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 150 C

封裝:Tray

高度:17 mm

長度:122 mm

寬度:62 mm

商標(biāo):Infineon Technologies

安裝風(fēng)格:Chassis Mount

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

產(chǎn)品類型:IGBT Modules

工廠包裝數(shù)量:10

子類別:IGBTs

零件號別名:FP100R12KT4BOSA1 SP000355578

單位重量:300 g