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制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類(lèi):IGBT 模塊

產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules

配置:Hex

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V

集電極—射極飽和電壓:2.2 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:50 A

柵極—射極漏泄電流:100 nA

最大工作溫度:+ 150 C

封裝 / 箱體:21PM-BA

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V

最小工作溫度:- 40 C

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

Pd-功率耗散:200 W

系列:FMC6G50US60