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FMB857B
規(guī)格信息:

標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:晶體管(BJT) - 單路

系列:-

包裝:帶卷(TR)

晶體管類型:PNP

電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V

不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA

電流 - 集電極截止(最大值):-

不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):220 @ 2mA,5V

功率 - 最大值:700mW

頻率 - 躍遷:-

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6

供應(yīng)商器件封裝:6-SSOT

介紹圖FMB857B
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
FMB857B256Mb F-die DDR SDRAM Specification SAMSUNG[Samsung semiconductor]SAMSUNG[Samsung semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)329.93 Kbytes共23頁(yè)FMB857B的PDF文件地址K4H561638F-UC,K4H560838F-TC,K4H560838F-UC,K4H280438F,K4H560438E-GC,K4H560438E-GCCC,K4H560438E-NC,K4H560438E-UC,K4H280438F-UC,K4H560438E-VC FMB857B的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
FMB857BPNP Epitaxial Silicon Transistor FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)100.1 Kbytes共2頁(yè)FMB857B的PDF文件地址KSR2102,FJY4010R,2SA2180,FJY4012R,GM1300,2SA2181,CPH3148,2SA1020_05,FJY4013R FMB857B的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢價(jià)型號(hào)*數(shù)量*批號(hào)封裝品牌其它要求
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