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FIR7N60FG
規(guī)格信息：

商品類型MOS(場效應管)

漏源電壓（Vdss）600V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）7A(Tc)

柵源極閾值電壓3.8V @ 250uA

漏源導通電阻1.4Ω @ 3.5A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）45W(Tc)

類型N溝道

介紹圖FIR7N60FG
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FIR7N60FGAdvanced N-Ch Power MOSFET-I FOSTER[Shenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.]FOSTER[Shenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.]的LOGO-天天IC網5286.6 Kbytes共7頁FIR7N60FG的PDF文件地址 FIR7N60FG的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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