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FIR2N65ALG
規(guī)格信息：

商品類型MOS(場效應(yīng)管)

漏源電壓（Vdss）650V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）2A(Tj)

柵源極閾值電壓4V @ 250uA

漏源導(dǎo)通電阻5Ω @ 1A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）44W(Tj)

類型N溝道

介紹圖FIR2N65ALG
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FIR2N65ALG650V N-Channel MOSFET -I FOSTER[Shenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.]FOSTER[Shenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.]的LOGO-天天IC網(wǎng)2985.94 Kbytes共8頁FIR2N65ALG的PDF文件地址 FIR2N65ALG的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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