商品類型MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)
漏源電壓(Vdss)650V
連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí))12A
柵源極閾值電壓4V @ 250uA
漏源導(dǎo)通電阻800mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)51W
類型N溝道
FIR12N65FG
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| FIR12N65FG | Advanced N-Ch Power MOSFET-G | FOSTER[Shenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.] | 2993.16 Kbytes | 共7頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 |
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