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FII50-12E
規(guī)格信息:

標(biāo)準(zhǔn)包裝:24

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:IGBT - 陣列

系列:-

IGBT 類型:NPT

配置:半橋

電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V

電流 - 集電極(Ic)(最大值):50A

功率 - 最大值:200W

不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.6V @ 15V,30A

電流 - 集電極截止(最大值):400µA

不同?Vce 時的輸入電容(Cies):2nF @ 25V

輸入:標(biāo)準(zhǔn)

NTC 熱敏電阻:

安裝類型:通孔

封裝/外殼:i4-Pac?-5

供應(yīng)商器件封裝:ISOPLUS i4-PAC?

介紹圖FII50-12E
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FII50-12ENPT IGBT phaseleg IXYS[IXYS Corporation]IXYS[IXYS Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)79.55 Kbytes共4頁FII50-12E的PDF文件地址HGTG27N120BN,HGTG20N120CND,APTGF30X60BTP2,APTGF90X60TE3,APTGF300SK120,APTGF75DH120T,APTGF500U60D4,HGTG30N120CN,L532,APTGF30X60E2 FII50-12E的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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