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FF225R12ME3
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:IGBT 模塊

產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules

配置:Dual

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:325 A

封裝 / 箱體:Econo D

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 125 C

封裝:Tray

高度:17 mm

長(zhǎng)度:152 mm

寬度:62 mm

商標(biāo):Infineon Technologies

安裝風(fēng)格:Chassis Mount

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

產(chǎn)品類型:IGBT Modules

工廠包裝數(shù)量:10

子類別:IGBTs

零件號(hào)別名:FF225R12ME3BOSA1 SP000317337

介紹圖FF225R12ME3
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FF225R12ME3EconoDUAL module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)298.1 Kbytes共8頁FF225R12ME3的PDF文件地址 FF225R12ME3的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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