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FF200R12KT3
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:IGBT 模塊

產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules

配置:Dual

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:295 A

封裝 / 箱體:62 mm

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 125 C

封裝:Tray

高度:30.9 mm

長度:106.4 mm

寬度:61.4 mm

商標(biāo):Infineon Technologies

安裝風(fēng)格:Chassis Mount

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

產(chǎn)品類型:IGBT Modules

工廠包裝數(shù)量:10

子類別:IGBTs

零件號別名:FF200R12KT3HOSA1 SP000100789

單位重量:340 g

FF200R12KT3

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
FF200R12KT3	62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench	INFINEON[Infineon Technologies AG]	435.25 Kbytes	共8頁	產(chǎn)品購買
FF200R12KT3_E	62mm C-Serien Modul mit gemeinsamen Emitter	INFINEON[Infineon Technologies AG]	435.33 Kbytes	共8頁	產(chǎn)品購買
FF200R12KT3EHOSA1	IGBT MODULE 1200V 1050W	Infineon Technologies	429.24 Kbytes	共8頁	產(chǎn)品購買
FF200R12KT3HOSA1	IGBT MODULE 1200V 1050W	Infineon Technologies	429.15 Kbytes	共8頁	產(chǎn)品購買