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FF100R12RT4
規(guī)格信息：

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200V

集電極—射極飽和電壓：2V

柵極—射極漏泄電流：100nA

Pd-功率耗散：555W

最小工作溫度：-40C

最大工作溫度：+150C

封裝/外殼：AG-34MM-1

柵極/發(fā)射極最大電壓：20V

RoHS compliant：yes

Packing Type：TRAY

Moisture Level：1

Configuration：Dual

Dimensions (length)：94.0mm

Housing：34 mm

VCE(sat) (Tvj=25°C typ)：1.75V

IC(nom) / IF(nom)：100.0A

Dimensions (width)：34.0mm

VF (Tvj=25°C typ)：1.75V

無鉛情況/RoHs：否

FF100R12RT4

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
FF100R12RT4	34mm Module with fast Trench/Feldstopp IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode	INFINEON[Infineon Technologies AG]	466.39 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
FF100R12RT4	34mm Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode	INFINEON[Infineon Technologies AG]	593.07 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
FF100R12RT4_13	34mm Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode	INFINEON[Infineon Technologies AG]	593.07 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
FF100R12RT4HOSA1	IGBT MOD 1200V 100A 555W	Infineon Technologies	586.99 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買