制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SO-8
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:150 V
Id-連續(xù)漏極電流:4.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:55 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:3.4 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:10.6 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:5 W
配置:Single
商標(biāo)名:PowerTrench
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1.75 mm
長(zhǎng)度:4.9 mm
系列:FDS86252
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:3.9 mm
商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值:13 S
下降時(shí)間:2.9 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:1.6 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:14 ns
典型接通延遲時(shí)間:9.2 ns
單位重量:130 mg
FDS86252
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| FDS86252 | N-Channel Power Trench?? MOSFET 150 V, 4.5 A, 55 m?? | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 263.73 Kbytes | 共6頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi) |
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