標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:FET - 陣列
系列:PowerTrench®
包裝:帶卷(TR)
FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9.4A
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 9.4A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):23nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1821pF @ 10V
功率 - 最大值:900mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:8-SO
其它名稱:FDS6898AZ_F085TRFDS6898AZF085
FDS6898AZ_F085
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS6898AZ_F085 | Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 332.48 Kbytes | 共5頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| FDS6898AZ-F085 | MOSFET N-CHANNEL MOSFET | ON Semiconductor / Fairchild | 412.84 Kbytes | 共8頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| FDS6898AZ-F085 | MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC | ON Semiconductor | 408.35 Kbytes | 共6頁 | 產(chǎn)品購買 |
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