制造商:Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:否
Id-連續(xù)漏極電流:9.3 A
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.8 W
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SSOT-8
商標:Fairchild Semiconductor
通道模式:Enhancement
配置:Single Quint Drain Dual Source
下降時間:11 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時間:11 ns
系列:FDR4410
典型關(guān)閉延遲時間:41 ns
典型接通延遲時間:12 ns
FDR4410
| 型號 | 功能描述 | 生產(chǎn)廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁數(shù) | PDF文件 | 相關(guān)型號 | 第一頁預(yù)覽 | 產(chǎn)品購買 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDR4410 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 220.45 Kbytes | 共4頁 | FDP7030L,MTD3055V,NDP4060L,NDP6060,NDS8425,SI3442DV,CEG6946,CEM8410A,CEM9925,CEP6030LS2 | 產(chǎn)品購買 |
關(guān)注官方微信

天天IC網(wǎng)由深圳市四方好訊科技有限公司獨家運營
天天IC網(wǎng) ( www.meandmyfour.com ) 版權(quán)所有?2014-2025 粵ICP備15059004號