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FDR4410
規(guī)格信息:

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

Id-連續(xù)漏極電流:9.3 A

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.8 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SSOT-8

商標:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single Quint Drain Dual Source

下降時間:11 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:11 ns

系列:FDR4410

典型關(guān)閉延遲時間:41 ns

典型接通延遲時間:12 ns

介紹圖FDR4410
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FDR4410N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)220.45 Kbytes共4頁FDR4410的PDF文件地址FDP7030L,MTD3055V,NDP4060L,NDP6060,NDS8425,SI3442DV,CEG6946,CEM8410A,CEM9925,CEP6030LS2 FDR4410的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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