制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:Power-56-8
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:150 V
Id-連續(xù)漏極電流:22 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:42 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
Vgs - 柵極-源極電壓:25 V
Qg-柵極電荷:63 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:104 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:PowerTrench
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1.1 mm
長度:6 mm
系列:FDMS86263P
晶體管類型:1 P-Channel
寬度:5 mm
商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值:19 S
下降時(shí)間:14 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:10 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:37 ns
典型接通延遲時(shí)間:17 ns
單位重量:68.100 mg