FET 類(lèi)型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：6.8A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：30nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±8V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：2200pF @ 10V
功率耗散（最大值）：1.92W（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：30 毫歐 @ 6.8A，4.5V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：8-MLP，MicroFET（3x2）
封裝/外殼：8-SMD，扁平引線裸焊盤(pán)
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs