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FDC6561AN
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SSOT-6

通道數(shù)量:2 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Id-連續(xù)漏極電流:2.5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:95 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:900 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:PowerTrench

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.1 mm

長度:2.9 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:FDC6561AN

晶體管類型:2 N-Channel

類型:MOSFET

寬度:1.6 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值:5 S

下降時間:10 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:10 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:12 ns

典型接通延遲時間:6 ns

零件號別名:FDC6561AN_NL

單位重量:30 mg

FDC6561AN

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FDC6561AN	Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]		256.74 Kbytes	共8頁		FDS6930A,FDS6961A,FDS6990A,FDS6912A,FDR4420A,HUFA76504DK8,FDS6911,FDN359AN,FDS6690A,FDS4953		產(chǎn)品購買
FDC6561AN	Low gate charge (2.1nC typical).	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]		326.0 Kbytes	共2頁				產(chǎn)品購買