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FDC5661N_F085
規(guī)格信息：

通道類型：N

最大連續(xù)漏極電流：4 A

最大漏源電壓：60 V

最大漏源電阻值：86 m0hms

最大柵閾值電壓：3V

最小柵閾值電壓：1V

最大柵源電壓：-20 V、+20 V

封裝類型：SOT-23

安裝類型：表面貼裝

引腳數(shù)目：6

晶體管配置：單

通道模式：增強

類別：功率 MOSFET

最大功率耗散：1.6 W

高度：1mm

每片芯片元件數(shù)目：1

尺寸：3 x 1.7 x 1mm

寬度：1.7mm

系列：PowerTrench

晶體管材料：Si

典型柵極電荷@Vgs：14.5 nC @ 10 V

典型輸入電容值@Vds：763 pF @ 25 V

典型關(guān)斷延遲時間：19.3 ns

典型接通延遲時間：7.2 ns

最低工作溫度：-55 °C

最高工作溫度：+150 °C

長度：3mm

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
FDC5661N_F085	N-Channel Logic Level PowerTrench?? MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	425.04 Kbytes	共7頁	產(chǎn)品購買
FDC5661N-F085	MOSFET Trans N-Ch 60V 4.3A	ON Semiconductor / Fairchild	498.7 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
FDC5661N-F085	MOSFET N-CH 60V 6-SSOT	ON Semiconductor	405.91 Kbytes	共8頁	產(chǎn)品購買
FDC5661N-F085	N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, L	ON Semiconductor	405.91 Kbytes	共8頁	產(chǎn)品購買