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FDB12N50TM
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-263-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:500 V

Id-連續(xù)漏極電流:11.5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:550 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:165 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:4.83 mm

長度:10.67 mm

系列:FDB12N50TM

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:9.65 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

下降時間:35 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:60 ns

工廠包裝數(shù)量:800

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:45 ns

典型接通延遲時間:25 ns

單位重量:1.312 g

FDB12N50TM

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FDB12N50TM	N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65??	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]		366.6 Kbytes	共9頁		FQB9N50CF,STD5N20L,FQP10N50CF,FDM6296_07,FDA16N50_07,FDA20N50_07,STW26NM50,FDH45N50F_0605,FQP13N50CF,IRF840B_05		產(chǎn)品購買
FDB12N50TM	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]		298.83 Kbytes	共14頁				產(chǎn)品購買