產(chǎn)品種類IGBT 模塊
產(chǎn)品IGBT Silicon Modules
配置Single Dual Emitter Dual Collector
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO1200 V
集電極—射極飽和電壓3.2 V
在25 C的連續(xù)集電極電流400 A
柵極—射極漏泄電流400 nA
功率耗散2700 W
最大工作溫度+ 150 C
封裝 / 箱體IHM130
柵極/發(fā)射極最大電壓+/- 20 V
最小工作溫度- 40 C
安裝風(fēng)格SMD/SMT
工廠包裝數(shù)量2