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FD200R12KE3
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:IGBT 模塊

RoHS:否

配置:Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V

集電極—射極飽和電壓:1.7 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:200 A

柵極—射極漏泄電流:400 nA

Pd-功率耗散:1.04 kW

封裝 / 箱體:IS5a ( 62 mm )-5

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 125 C

封裝:Tray

高度:30.9 mm

長(zhǎng)度:106.4 mm

寬度:61.4 mm

商標(biāo):Infineon Technologies

安裝風(fēng)格:Chassis Mount

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

產(chǎn)品類型:IGBT Modules

工廠包裝數(shù)量:10

子類別:IGBTs

零件號(hào)別名:FD200R12KE3HOSA1 SP000083495

單位重量:340 g

FD200R12KE3

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買
FD200R12KE3	Technische Information / technical information	EUPEC[eupec GmbH]	172.74 Kbytes	共9頁(yè)	FD300R12KE3,FZ300R12KE3G,FP40R12KE3G,FD800R33KF2C-K,BSM25GP120,IXGA4N100,FS50R12KT3,ML101J24,SC70-6,2SD882D	產(chǎn)品購(gòu)買
FD200R12KE3	62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode	INFINEON[Infineon Technologies AG]	291.54 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
FD200R12KE3HOSA1	IGBT MODULE 1200V 1050W	Infineon Technologies	493.80 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
FD200R12KE3P	62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled HE Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material	INFINEON[Infineon Technologies AG]	595.81 Kbytes	共10頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
FD200R12KE3PHOSA1	IGBT MODULE 1200V 200A	Infineon Technologies	589.73 Kbytes	共10頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買