標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:FET - 單
系列:eGaN®
包裝:帶卷(TR)
FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss):65V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.7A(Ta)
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 500mA,5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):-
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):52pF @ 32.5V
功率 - 最大值:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:模具
供應(yīng)商器件封裝:模具
其它名稱:917-1078-2