FET 類型：N 溝道
技術：GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）：80V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：90A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 14mA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：15nC @ 5V
Vgs（最大值）：+6V，-4V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1650pF @ 40V
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.5 毫歐 @ 29A，5V
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：模具
封裝/外殼：模具
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs