標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
系列:-
包裝:帶卷(TR)
晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預(yù)偏壓式(雙)
電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V
電阻器 - 基底(R1)(歐姆):4.7k,47k
電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):10k,47k
不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,10V / 20 @ 5mA,10V
不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
電流 - 集電極截止(最大值):500nA
頻率 - 躍遷:-
功率 - 最大值:500mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
供應(yīng)商器件封裝:SOT-563
其它名稱:EMD5DXV6T1OS
EMD5DXV6T1
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EMD5DXV6T1 | Dual Bias Resistor Transistors | ONSEMI[ON Semiconductor] | 64.96 Kbytes | 共8頁 | EMD4DXV6T1,DTA114EM3T5G,DTC114EM3T5G,MAX6639,ADG787,SC2412KLT1,ZBNG4000,SI6862DQ,ADG836L,2SD2398 | 產(chǎn)品購買 | |||
| EMD5DXV6T1G | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | ON Semiconductor | 176.48 Kbytes | 共7頁 | 產(chǎn)品購買 |
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