晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙）
電阻器-基底（R1）（歐姆）：47k，4.7k
電阻器-發(fā)射極基底（R2）（歐姆）：47k，10k
不同?Ic，Vce?時的DC電流增益（hFE）（最小值）：80 @ 5mA，10V / 20 @ 5mA，10V
不同?Ib，Ic時的?Vce飽和值（最大值）：250mV @ 300μA，10mA
電流-集電極截止（最大值）：500nA
功率-最大值：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝形式Package：SOT-553
極性Polarity：NPN+PNP
集電極最大允許電流Ic：100mA
集電極_發(fā)射極擊穿電壓VCEO：50V
封裝/外殼：SOT-553
不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）：250mV @ 300μA，10mA
電流 - 集電極截止（最大值）：500nA
功率 - 最大值：500mW
電流 - 集電極（Ic）（最大值）：100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
電阻器 - 基底（R1）（歐姆）：47k，4.7k
電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）：47k，10k
不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）：80 @ 5mA，10V / 20 @ 5mA，10V
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs