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DS1330ABP-100
規(guī)格信息：

存儲器類型：非易失

存儲器格式：NVSRAM

技術(shù)：NVSRAM（非易失性 SRAM）

存儲容量：256Kb （32K x 8）

寫周期時間 - 字，頁：100ns

訪問時間：100ns

存儲器接口：并聯(lián)

電壓 - 電源：4.75 V ~ 5.25 V

工作溫度：0°C ~ 70°C（TA）

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：34-PowerCap? 模塊

供應(yīng)商器件封裝：34-PowerCap 模塊

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖DS1330ABP-100
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
DS1330ABP-100256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor DALLAS[Dallas Semiconductor]DALLAS[Dallas Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)191.48 Kbytes共11頁DS1330ABP-100的PDF文件地址DS1330W,DS1330YL,DS1345Y,DS1350W,DS1345W,DS1350Y,DS1345BL,DS1312,DS1314,DS1321 DS1330ABP-100的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
DS1330ABP-100+IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAPMaxim IntegratedMaxim Integrated的LOGO-天天IC網(wǎng)211.50 Kbytes共10頁DS1330ABP-100+的PDF文件地址 DS1330ABP-100+的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
DS1330ABP-100-IND256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor DALLAS[Dallas Semiconductor]DALLAS[Dallas Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)191.48 Kbytes共11頁DS1330ABP-100-IND的PDF文件地址DS1330W,DS1330YL,DS1345Y,DS1350W,DS1345W,DS1350Y,DS1345BL,DS1312,DS1314,DS1321 DS1330ABP-100-IND的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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