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存儲器類型:非易失
存儲器格式:NVSRAM
技術(shù):NVSRAM(非易失性 SRAM)
存儲容量:16Mb (2M x 8)
寫周期時間 - 字,頁:70ns
訪問時間:70ns
存儲器接口:并聯(lián)
電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:36-DIP 模塊(0.600",15.24mm)
供應(yīng)商器件封裝:36-EDIP
無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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