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DS1250AB-100
規(guī)格信息：

存儲(chǔ)器類型：非易失

存儲(chǔ)器格式：NVSRAM

技術(shù)：NVSRAM（非易失性 SRAM）

存儲(chǔ)容量：4Mb （512K x 8）

寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：100ns

訪問(wèn)時(shí)間：100ns

存儲(chǔ)器接口：并聯(lián)

電壓 - 電源：4.75 V ~ 5.25 V

工作溫度：0°C ~ 70°C（TA）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

供應(yīng)商器件封裝：32-EDIP

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

DS1250AB-100

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買
DS1250AB-100	4096k Nonvolatile SRAM	DALLAS[Dallas Semiconductor]	217.62 Kbytes	共11頁(yè)	DS1250W,DS1350W,DS1350Y,DS1250BL,BQ4014,DS1330W,DS1270W,DS3050W,DS2030Y,M48T251Y	產(chǎn)品購(gòu)買
DS1250AB-100+	NVRAM 4096K NV SRAM	Maxim Integrated	224.89 Kbytes	共10頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
DS1250AB-100+	IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP	Maxim Integrated	236.32 Kbytes	共10頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
DS1250AB-100IND	IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP	Maxim Integrated	236.32 Kbytes	共10頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
DS1250AB-100IND+	NVRAM 4096K NV SRAM	Maxim Integrated	224.89 Kbytes	共10頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
DS1250AB-100IND+	IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP	Maxim Integrated	236.32 Kbytes	共10頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買