存儲(chǔ)器類型:非易失
存儲(chǔ)器格式:NVSRAM
技術(shù):NVSRAM(非易失性 SRAM)
存儲(chǔ)容量:4Mb (512K x 8)
寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):100ns
訪問(wèn)時(shí)間:100ns
存儲(chǔ)器接口:并聯(lián)
電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V
工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:32-DIP 模塊(0.600",15.24mm)
供應(yīng)商器件封裝:32-EDIP
無(wú)鉛情況/RoHs:無(wú)鉛/符合RoHs